"A Short-Channel-Effect-Degraded Noise Margin Model for Junctionless Double-Gate MOSFET Working on Subthreshold CMOS Logic Gates" , IEEE Trans on Electron Device (TED) , 63 , 8 , pp3354-3359 ,2016, (SCI)

  • 出版日期：2016-07-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：A Short-Channel-Effect-Degraded Noise Margin Model for Junctionless Double-Gate MOSFET Working on Subthreshold CMOS Logic Gates
  • 期刊名：IEEE Trans on Electron Device (TED)
  • 卷數：63
  • 期數：8
  • 起頁：3354
  • 迄頁：3359
  • 總頁數：6
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：Chiang Te-Kuang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：Corresponding Author
  • 使用語言：英文