"A Novel Quasi-3D Threshold Voltage Model for Pi-gate MOSFET with the interface trapped charges" , IEEE Trans on Nanotechnology , 14 , 3 , pp555-560 ,2015, (SCI)

  • 出版日期：2015-03-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：A Novel Quasi-3D Threshold Voltage Model for Pi-gate MOSFET with the interface trapped charges
  • 期刊名：IEEE Trans on Nanotechnology
  • 卷數：14
  • 期數：3
  • 起頁：555
  • 迄頁：560
  • 總頁數：6
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T. K. Chiang(江德光)
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author / Corresponding Author
  • 使用語言：英文