"A New Subthreshold Current Model for Junctionless Tri-Gate (JLTG) MOSFETs to Examine Interface Trapped Charge Effects (ITCEs)" , IEEE Trans. on Electron Devices (TED) , 62 , 9 , pp2745-2750 ,2015, (SCI)

  • 出版日期：2015-03-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：A New Subthreshold Current Model for Junctionless Tri-Gate (JLTG) MOSFETs to Examine Interface Trapped Charge Effects (ITCEs)
  • 期刊名：IEEE Trans. on Electron Devices (TED)
  • 卷數：62
  • 期數：9
  • 起頁：2745
  • 迄頁：2750
  • 總頁數：6
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T. K. Chiang(江德光)
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author / Corresponding Author
  • 使用語言：英文