"A Novel scaling theory for Fully Depleted Pi-Gate MOSFETs" , Solid-State Electronics (SSE). , vol. 103 , 2 , pp199-201 ,2015, (SCI)

  • 出版日期：2015-01-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：A Novel scaling theory for Fully Depleted Pi-Gate MOSFETs
  • 期刊名：Solid-State Electronics (SSE).
  • 卷數：vol. 103
  • 期數：2
  • 起頁：199
  • 迄頁：201
  • 總頁數：3
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T. K. Chiang(江德光)
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author / Corresponding Author
  • 使用語言：英文