"A Novel Quasi-3D Interface-Trapped-Charge-Degraded Threshold Voltage Model for Omega-Gate MOSFETs" , IEEE Transactions on Device and Materials Reliability , 15 , 1 , pp35-39 ,2014, (SCI)

  • 出版日期：2014-11-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：A Novel Quasi-3D Interface-Trapped-Charge-Degraded Threshold Voltage Model for Omega-Gate MOSFETs
  • 期刊名：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
  • 卷數：15
  • 期數：1
  • 起頁：35
  • 迄頁：39
  • 總頁數：5
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：Chiang Te-Kuang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author
  • 使用語言：英文