出版日期:2014-06-00
期刊等級:SCI
論文名稱(篇名):A New Analytical Subthreshold Potential/Current Model for Quadruple-Gate Junctionless MOSFETs
期刊名:IEEE Tran. on Electron Devices (TED)
卷數:vol. 61
期數:no. 6
起頁:1972
迄頁:1978
總頁數:7
作者中文名:江德光
作者英文名:Te-Kung Chiang
全部作者:Linfeng He, Te-Kuang Chiang, Juin J. Liou,Wenchao Zheng,and Zhiwei Liu
著作人數:5
作者型態:Other
使用語言:英文