"A New Interface-Trapped-Charge-Degraded Subthreshold Current Model for Quadruple-Gate (QG) MOSFETs”, IEEE Trans. on Electron Devices (TED)" , TED , vol. 61 , no. 5 , pp1611-1614 ,2014, (SCI)

  • 出版日期：2014-03-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：A New Interface-Trapped-Charge-Degraded Subthreshold Current Model for Quadruple-Gate (QG) MOSFETs”, IEEE Trans. on Electron Devices (TED)
  • 期刊名：TED
  • 卷數：vol. 61
  • 期數：no.5
  • 起頁：1611
  • 迄頁：1614
  • 總頁數：4
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：Chiang Te-Kuang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author
  • 使用語言：英文