"A new quasi-2-D threshold voltage model for short-channel junctionless (JL) cylindrical surrounding-gate MOSFET" , IEEE Trans. on Electron Devices (TED) , vol. 59 , no. 11 , pp3127-3129 ,2012, (SCI)

  • 出版日期：2012-11-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：A new quasi-2-D threshold voltage model for short-channel junctionless (JL) cylindrical surrounding-gate MOSFET
  • 期刊名：IEEE Trans. on Electron Devices (TED)
  • 卷數：vol. 59
  • 期數：no.11
  • 起頁：3127
  • 迄頁：3129
  • 總頁數：3
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T.K. Chiang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author / Corresponding Author