"The Analytical Compact Threshold Voltage Model for Surrounding-gate MOSFETs With Interface Trapped Charges" , IEEE Electron Device Letters , Vol. 31 , No. 8 , pp788-790 ,2010, (SCI)

  • 出版日期：2010-08-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：The Analytical Compact Threshold Voltage Model for Surrounding-gate MOSFETs With Interface Trapped Charges
  • 期刊名：IEEE Electron Device Letters
  • 卷數：vol. 31
  • 期數：no.8
  • 起頁：788
  • 迄頁：790
  • 總頁數：3
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T.K. Chiang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author / Corresponding Author
  • 使用語言：英文