"A New Analytical Model for Short Channel Fully Depleted DualMaterial Gate Silicon on Insulator Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" , Japanese Journal of Applied Physics , vol.47 , no.7 , pp1022-1027 ,2010, (SCI)

  • 出版日期：2010-04-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)： Japanese Journal of Applied Physics
  • 期刊名：IEEE Electron Device Letters
  • 卷數：vol. 47
  • 期數：no.7
  • 起頁：1022
  • 迄頁：1027
  • 總頁數：6
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T.K. Chiang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author / Corresponding Author
  • 使用語言：英文