"A New Two-dimensional Analytical Subthreshold Behavior Model for Short-channel Tri-material Gate-stack SOI MOSFET’s" , Microelectronics Reliability , vol.49 , no.2 , pp113-119 ,2009, (SCI)

  • 出版日期：2009-02-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)： A New Two-dimensional Analytical Subthreshold Behavior Model for Short-channel Tri-material Gate-stack SOI MOSFET’s
  • 期刊名：Microelectronics Reliability
  • 卷數：vol. 49
  • 期數：no.2
  • 起頁：113
  • 迄頁：119
  • 總頁數：7
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T.K. Chiang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author / Corresponding Author
  • 使用語言：英文