"A New Threshold Voltage Model for Symmetrical Double-Gate MOSFET，s with High-K Gate Dielectrics" , Solid-State Electronics , vol.51 , no.3 , pp387-393 ,2007, (SCI)

  • 出版日期：2007-03-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)： A New Threshold Voltage Model for Symmetrical Double-Gate MOSFET，s with High-K Gate Dielectrics
  • 期刊名：Solid-State Electronics
  • 卷數：vol.51
  • 期數：no.3
  • 起頁：387
  • 迄頁：393
  • 總頁數：6
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T. K. Chiang, M.L.Chen
  • 著作人數：2
  • 作者型態：First Author / Corresponding Author
  • 使用語言：英文