"A New Threshold Voltage Model for Cylindrical, Fully-depleted, Surrounding-gate(SG) MOSFETs" , Microelectronics Reliability , vol.47 , no.2-3 , pp379-383 ,2006, (SCI)

  • 出版日期：2006-03-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)： A New Threshold Voltage Model for Cylindrical, Fully-depleted, Surrounding-gate(SG) MOSFETs
  • 期刊名：Microelectronics Reliability
  • 卷數：vol. 47
  • 期數：no.2-3
  • 起頁：379
  • 迄頁：383
  • 總頁數：5
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T.K. Chiang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author / Corresponding Author
  • 使用語言：英文