"A Scaling theory for Fully-depleted, Surrounding-gate MOSFET’s: including effective conducting path effect" , Microelectronic Engineering , vol.77 , no.2 , pp175-183 ,2005, (SCI)

  • 出版日期：2005-02-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)： A Scaling theory for Fully-depleted, Surrounding-gate MOSFET’s: including effective conducting path effect
  • 期刊名：Microelectronic Engineering
  • 卷數：vol.77
  • 期數：no.2
  • 起頁：175
  • 迄頁：183
  • 總頁數：9
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T.K. Chiang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author / Corresponding Author
  • 使用語言：英文