A New Device-Physics-Based Average DC Power Model for Quadruple-Gate MOSFET Working on Low-Power CMOS Substhreshold Logic Gates
- 年度：2017
- 論文類型：口頭報告 / 受邀演講
- 論文等級：EI
- 論文名稱(篇名)：A New Device-Physics-Based Average DC Power Model for Quadruple-Gate MOSFET Working on Low-Power CMOS Substhreshold Logic Gates
- 會議名稱：International Symposium on Next-generation Electronics (ISNE 2017)
- 會議開始時間：2017-05-23
- 會議結束時間：2017-05-25
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：Te-Kuang Chiang
- 著作人數：1
- 作者型態：First Author / Corresponding Author
- 會議地點：National Taiwan Ocean University, Taiwan
- 使用語言：英文