A New Device-Physics-Based Average DC Power Model for Quadruple-Gate MOSFET Working on Low-Power CMOS Substhreshold Logic Gates

  • 年度：2017
  • 論文類型：口頭報告 / 受邀演講
  • 論文等級：EI
  • 論文名稱(篇名)：A New Device-Physics-Based Average DC Power Model for Quadruple-Gate MOSFET Working on Low-Power CMOS Substhreshold Logic Gates
  • 會議名稱：International Symposium on Next-generation Electronics (ISNE 2017)
  • 會議開始時間：2017-05-23
  • 會議結束時間：2017-05-25
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：Te-Kuang Chiang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author / Corresponding Author
  • 會議地點：National Taiwan Ocean University, Taiwan
  • 使用語言：英文