A New Quasi 2D Interface Trapped Charge Degraded Subthreshold Current Model for Junctionless Surrounding-Gate (JLSRG) MOSFETs

  • 年度：2015
  • 論文類型：會議論文
  • 論文等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：A New Quasi 2D Interface Trapped Charge Degraded Subthreshold Current Model for Junctionless Surrounding-Gate (JLSRG) MOSFETs
  • 會議名稱：2015 IEEE International Symposium on next generation electronics (ISNE2015)
  • 會議開始時間：2015-05-04
  • 會議結束時間：2015-05-06
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T.K. Chiang, and Yi-Hung Chiu
  • 著作人數：2
  • 作者型態：First Author
  • 會議地點：Taipei,Taiwan
  • 使用語言：