A New Interface-Trapped-Charge-Degraded Subthreshold Current Model for Quadruple-Gate (QG) MOSFETs

  • 年度：2014
  • 論文類型：口頭報告 / 會議論文
  • 論文等級：其他
  • 論文名稱(篇名)：A New Interface-Trapped-Charge-Degraded Subthreshold Current Model for Quadruple-Gate (QG) MOSFETs
  • 會議名稱：EDSSC2014
  • 會議開始時間：2014-06-18
  • 會議結束時間：2014-06-20
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：Chiang Te-Kuang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author / Corresponding Author
  • 會議地點：大陸成都
  • 使用語言：