A New Interface-Trapped-Charge-Degraded Subthreshold Current Model for Cylindrical, Surrounding-Gate (CSRG) MOSFETs

  • 年度：2014
  • 論文類型：口頭報告 / 會議論文
  • 論文等級：其他
  • 論文名稱(篇名)：A New Interface-Trapped-Charge-Degraded Subthreshold Current Model for Cylindrical, Surrounding-Gate (CSRG) MOSFETs
  • 會議名稱：ISNE2014
  • 會議開始時間：2014-05-07
  • 會議結束時間：2014-05-10
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：Te-Kuang Chiang, Hong-Wun Gao(高鴻文), Che-Wei Liu, Tsung-Ying Tsou and Yi-Hung Chiu(邱翊紘)
  • 著作人數：5
  • 作者型態：First Author
  • 會議地點：長庚大學
  • 使用語言：