A quasi-2D threshold voltage model for short-channel junctionless double-gate MOSFET’s

  • 年度：2012
  • 論文類型：口頭報告
  • 論文等級：其他
  • 論文名稱(篇名)：A quasi-2D threshold voltage model for short-channel junctionless double-gate MOSFET’s
  • 會議名稱：2012 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid State Circuit (EDSSC)
  • 會議開始時間：2012-12-03
  • 會議結束時間：2012-12-05
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：Te-Kuang Chiang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author
  • 會議地點：Bankok, Thailand
  • 使用語言：