A Two-dimensional Short-Channel Model for Threshold Voltage of Tri-Gate (TG) MOSFETs with Localized Trapped Charges

  • 年度：2011
  • 論文類型：會議論文
  • 論文等級：其他
  • 論文名稱(篇名)：A Two-dimensional Short-Channel Model for Threshold Voltage of Tri-Gate (TG) MOSFETs with Localized Trapped Charges
  • 會議名稱：2011 IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology
  • 會議開始時間：2011-11-17
  • 會議結束時間：2011-11-18
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：Te-Kuang Chiang and Duo-Han Chang(張鐸瀚)
  • 著作人數：2
  • 作者型態：First Author
  • 會議地點：Tianjin,China
  • 使用語言：