A New Two-Dimensional Analytical Model for the Potential Distribution and Threshold Voltage of the Fully-Depleted SOI Four-Gate Transistor

  • 年度：2010
  • 論文類型：會議論文
  • 論文等級：其他
  • 論文名稱(篇名)：A New Two-Dimensional Analytical Model for the Potential Distribution and Threshold Voltage of the Fully-Depleted SOI Four-Gate Transistor
  • 會議名稱：IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology
  • 會議開始時間：2010-11-01
  • 會議結束時間：2010-11-04
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：Te-Kuang Chiang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author / Corresponding Author
  • 會議地點：Shanghai, China
  • 使用語言：英文