The analytical threshold voltage model for surrounding-gate MOSFETs with interface trapped charges

  • 年度：2010
  • 論文類型：會議論文
  • 論文等級：其他
  • 論文名稱(篇名)：The analytical threshold voltage model for surrounding-gate MOSFETs with interface trapped charges
  • 會議名稱：Conference on microelectronics technology & applications
  • 會議開始時間：2010-05-21
  • 會議結束時間：2010-05-21
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T.K. Chiang, Lai Jan-Fan(賴俊帆), and Yang Ming-Jie(楊鳴傑)
  • 著作人數：3
  • 作者型態：
  • 會議地點：Taiwan
  • 使用語言：英文