A New Two-dimensional Threshold Voltage Model for Short-channel Tri-material Gate-stack SOI MOSFET's”

  • 年度：2009
  • 論文類型：會議論文
  • 論文等級：SCI / 其他
  • 論文名稱(篇名)：A New Two-dimensional Threshold Voltage Model for Short-channel Tri-material Gate-stack SOI MOSFET's”
  • 會議名稱：Electronic Technology Symposium
  • 會議開始時間：2009-06-19
  • 會議結束時間：2009-06-19
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T.K. Chiang, He jia-jiang , and Chen Shih-Fang,
  • 著作人數：3
  • 作者型態：
  • 會議地點：
  • 使用語言：英文