A new two dimensional model for dual material surrounding-gate MOSFETs pp.597-600

  • 年度：2007
  • 論文類型：會議論文
  • 論文等級：其他
  • 論文名稱(篇名)：A new two dimensional model for dual material surrounding-gate MOSFETs pp.597-600
  • 會議名稱：2007 IEEE International Conference on Eldectron Devices and Solid-State Circuits
  • 會議開始時間：2007-12-20
  • 會議結束時間：2007-12-22
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T. K. Chiang, M. L. Chen, and H. K. Wang
  • 著作人數：3
  • 作者型態：
  • 會議地點：Tainan, Taiwan.
  • 使用語言：英文