A new two dimensional analytical model for fully depleted dual material gate SOI MOSFET

  • 年度：2007
  • 論文類型：會議論文
  • 論文等級：其他
  • 論文名稱(篇名)：A new two dimensional analytical model for fully depleted dual material gate SOI MOSFET
  • 會議名稱：2007 International Symposium on Nano Science and Technology
  • 會議開始時間：2007-00-00
  • 會議結束時間：2007-00-00
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T. K. Chiang , Y. K. Shiau and M. L
  • 著作人數：3
  • 作者型態：First Author
  • 會議地點：Tainan, Taiwan.
  • 使用語言：英文