A new two-dimensional analytical model for threshold voltage in DG MOSFETs with High-K Gate

  • 年度：2006
  • 論文類型：會議論文
  • 論文等級：其他
  • 論文名稱(篇名)：A new two-dimensional analytical model for threshold voltage in DG MOSFETs with High-K Gate
  • 會議名稱：PP. 288-289 International Symposium on Nano Science and Technology
  • 會議開始時間：2006-11-09
  • 會議結束時間：2006-11-10
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T.K. Chiang, M.L. Chen
  • 著作人數：2
  • 作者型態：First Author
  • 會議地點： Tainan,Taiwan
  • 使用語言：英文