A New Two-dimensional Analytical Model for Threshold Voltage Model in Undoped Surrounding-gate MOSFETs

  • 年度：2006
  • 論文類型：會議論文
  • 論文等級：其他
  • 論文名稱(篇名)：A New Two-dimensional Analytical Model for Threshold Voltage Model in Undoped Surrounding-gate MOSFETs
  • 會議名稱：IEEE 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology
  • 會議開始時間：2006-10-23
  • 會議結束時間：2006-10-26
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：T.K. Chiang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：First Author
  • 會議地點： Shanghai,China
  • 使用語言：英文