Chiang Te-Kuang*(江德光), ”Nanosheet FET: A New Subthreshold Current Model Caused by Interface-Trapped-Charge and Its Application for Evaluation of Subthreshold Logic Gate” Microelectronics Journal, Vol.104, No.106, pp.104983-104992, 2020.

  • 出版日期：2019-08-01
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：Nanosheet FET: A New Subthreshold Current Model Caused by Interface-Trapped-Charge and Its Application for Evaluation of Subthreshold Logic Gate
  • 期刊名： Microelectronics Journal
  • 卷數：104
  • 期數：106
  • 起頁：104983
  • 迄頁：104992
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：Te-Kuang Chiang
  • 著作人數：1
  • 作者型態：Corresponding Author
  • 使用語言：英文