計畫名稱：有關四重閘極閘極電晶體之最新微縮理論及其應用
執行起迄：2014/08/01~2016/03/31
總核定金額：520,000元
中文摘要：吾人利用周長加權法與等效閘極數之概念，推導出一新型之維縮理論，此理論避開繁雜之數學運算，提供快速且有效之短通道行為分析方法，此理論可以適用於任何之多閘極 電晶體之短通道效應之分析。基於此新型之微縮理論所得之微縮方程式，吾人可以輕易求得自然長度/微縮長度，利用此自然長度/微縮長度，吾人可以求得最小之表面電壓或是最小心電壓，進而以此最小電位為條件，配合飄移與擴散理論，應用於求出四閘極金氧半場效電晶體包含表面缺陷缺陷電荷之臨界電壓與次臨界電流。總而言之，本研究計劃藉由1.周長加權法與2.等效閘極數 推導出有『四閘極金氧半場效電晶體之新型微縮理論』，再應用此新型微縮方程式配合 1)電流擴散飄移近似法(與 2) Pao-Sah’s Integral 推導出有關『四閘極金氧半場效電晶體(Quadruple-gate MOSFETs)含缺陷電荷之次臨界行為含臨界電壓與次臨界電流』之解析模型。此計畫之研究成果可以提供未來『四閘極金氧半場效電晶體』當其應用於記憶體電路有效之評估公式。