年度 2010
論文類型 會議論文 / 其他
論文等級 其他
論文名稱(篇名) Impact of Gate Capping and SOI Thickness with Compressive Stresses on Partially Depleted MOSFETs
會議名稱 IEEE, International Workshop on Next Generation Electronics
會議開始時間 2010-11-18
會議結束時間 2010-11-19
作者中文名 張文騰
作者英文名 Wen-Teng Chang
全部作者 Wen-Teng Chang, Jian-An Lin, and Ming-Feng Li
著作人數 3
作者型態 First Author
會議地點 Kaohsiung, Taiwan.
使用語言 英文