年度：2007
論文類型：會議論文 / 壁報論文
論文等級：EI
論文名稱(篇名)：N-type Modulation-Doped InGaAlAs/InP Strain-Balanced Quantum-Well SOA/Laser Fabricated by a Multi-Step Wet-Etching Process
會議名稱：Indium Phosphide and Related materials (IPRM’07)
會議開始時間：2007-05-00
會議結束時間：2007-05-00
作者中文名：馮瑞陽
作者英文名：(David) Jui-Yang, Feng
全部作者：David J. Y. Feng, C. L. Chiu, J. D. Chen, C. M. Lai, T. S. Lay, and T. Y. Chang
著作人數：6
作者型態：First Author
會議地點：Matsue, Japan
ISSN(ISBN)：1-4244-0875-X
使用語言：英文
