"λ= 1.3 μm High density InGaAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy",Indium Phosphide and Related materials (IPRM’06),Princeton, USA,2006/05/00 (EI)-756-936-717-103-100-475-126-277-676
年度：2006
論文類型：口頭報告 / 會議論文
論文等級：EI
論文名稱(篇名)：λ= 1.3 μm High density InGaAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
會議名稱：Indium Phosphide and Related materials (IPRM’06)
會議開始時間：2006-05-00
會議結束時間：2006-05-00
作者中文名：馮瑞陽
作者英文名：(David) Jui-Yang, Feng
全部作者：David J. Feng, T. E. Tzeng, C. Y. Chen, T. S. Lay, and T. Y. Chang
