101學年度：有關三閘極電晶體含有氧化層介面缺陷電荷之次臨界行為解析模型
計畫名稱：有關三閘極電晶體含有氧化層介面缺陷電荷之次臨界行為解析模型
執行起迄：2012/08/01~2013/11/30
總核定金額：472,000元
中文摘要：從事於元件解析模型之建立時，根據不同的元件操作模式，將有不同的分析及模擬方式，例如：元件若處於’常開(Normally on)’模式，則吾人在探討微小幾何元件特性時，就專注於電壓－電流特性(Current-voltage characteristic)方程式之建立，但若元件處於’常關(Normally off)’模式，就應伴隨考慮次臨界行為之分析（Subthreshold Behavior Analysis）。隨著超大型積體電路技術之進步，許多有關於次臨界電流 (Subthreshold Current) 、次臨界斜率（Subthreshold Slope）及臨界電壓(Threshold Voltage)之特性，因影響積體電路行為甚巨，已漸漸受到重視。本計劃將針對三閘極金氧半場效應電晶體含有氧化層介面缺陷電荷(Tri-Gate MOSFET’s with the interface trapped charges)提出具體之分析及模擬。旨在使得元件設計者(Device Designer)於設計此VLSI 元件時，得以掌握精確的元件物理特性，不僅精於超大型積體電路元件之分析，並且節省了前段元件測試製程(Device Testing and Process)所耗費的時間(Time)及成本(Cost)
執行起迄：2012/08/01~2013/11/30
總核定金額：472,000元
中文摘要：從事於元件解析模型之建立時，根據不同的元件操作模式，將有不同的分析及模擬方式，例如：元件若處於’常開(Normally on)’模式，則吾人在探討微小幾何元件特性時，就專注於電壓－電流特性(Current-voltage characteristic)方程式之建立，但若元件處於’常關(Normally off)’模式，就應伴隨考慮次臨界行為之分析（Subthreshold Behavior Analysis）。隨著超大型積體電路技術之進步，許多有關於次臨界電流 (Subthreshold Current) 、次臨界斜率（Subthreshold Slope）及臨界電壓(Threshold Voltage)之特性，因影響積體電路行為甚巨，已漸漸受到重視。本計劃將針對三閘極金氧半場效應電晶體含有氧化層介面缺陷電荷(Tri-Gate MOSFET’s with the interface trapped charges)提出具體之分析及模擬。旨在使得元件設計者(Device Designer)於設計此VLSI 元件時，得以掌握精確的元件物理特性，不僅精於超大型積體電路元件之分析，並且節省了前段元件測試製程(Device Testing and Process)所耗費的時間(Time)及成本(Cost)
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