"A Proposed High Manufacturability Strain Technology for High-k/Metal Gate SiGe channel UTBB CMOSFET",International Conference on Software and Computing Technology,Xian,China,2012/11/00 (SCI)

年度：2012

論文類型：受邀演講

論文等級：EI

論文名稱(篇名)：A Proposed High Manufacturability Strain Technology for High-k/Metal Gate SiGe channel UTBB CMOSFET

會議名稱：International Conference on Software and Computing Technology

會議開始時間：2012-11-00

會議結束時間：2012-11-00

作者中文名：葉文冠

作者英文名：Wen-Kuan Yeh

全部作者：Wen-Kuan Yeh , P.Y. Chen , Y.L Yang

著作人數：3

作者型態：Other

會議地點：Xian,China

Click Num: