年度：2011
論文類型：口頭報告 / 會議論文
論文等級：EI
論文名稱(篇名)：A Proposed High Manufacturability Strain Technology for High-k/Metal Gate SiGe-SOI CMOSFET
會議名稱： 2011 IEEE International SOI Conference
會議開始時間：2011-10-03
會議結束時間：2011-10-06
作者中文名：葉文冠
作者英文名：Wen-Kuan Yeh
全部作者：W.K. Yeh, C. Y. Cheng(鄭濟允), Y. L Yang, C.T. Lin , C.M. Lai, Y.W.Chen, C. H. Hsu, C. W. Yang, and P. Y. Chen
著作人數：9
作者型態：First Author / Corresponding Author
會議地點：Tempe, Arizona, USA
使用語言：英文
