Wen-Teng Chang, Chih-Chung Wang, Jian-An Lin(林建安), Wen-Kuan Yeh,"External Stresses on Tensile and Compressive Contact Etching Stop Layer SOI MOSFETs" , IEEE Transactions on Electron Devices , Vol.57 , No.8 , pp1889-1894 ,2010, (SCI)
出版日期 2010-08-00
期刊等級 SCI
論文名稱(篇名) External Stresses on Tensile and Compressive Contact Etching Stop Layer SOI MOSFETs
期刊名 IEEE Transactions on Electron Devices
卷數 Vol.57
期數 No.8
起頁 1889
迄頁 1894
總頁數 6
作者中文名 張文騰
作者英文名 Wen-Teng Chang
全部作者 Wen-Teng Chang, Chih-Chung Wang, Jian-An Lin(林建安), Wen-Kuan Yeh
著作人數 4
作者型態 First Author / Corresponding Author
ISSN(ISBN) 0018-9383
參考網址 http://ieeexplore.ieee.org/Xplore/login.jsp?url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fiel5%2F16%2F5518459%2F05497124.pdf%3Farnumber%3D5497124&authDecision=-203
使用語言 英文
所屬計畫案 利用電晶體及環形振盪器製作壓阻感測器
期刊等級 SCI
論文名稱(篇名) External Stresses on Tensile and Compressive Contact Etching Stop Layer SOI MOSFETs
期刊名 IEEE Transactions on Electron Devices
卷數 Vol.57
期數 No.8
起頁 1889
迄頁 1894
總頁數 6
作者中文名 張文騰
作者英文名 Wen-Teng Chang
全部作者 Wen-Teng Chang, Chih-Chung Wang, Jian-An Lin(林建安), Wen-Kuan Yeh
著作人數 4
作者型態 First Author / Corresponding Author
ISSN(ISBN) 0018-9383
參考網址 http://ieeexplore.ieee.org/Xplore/login.jsp?url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fiel5%2F16%2F5518459%2F05497124.pdf%3Farnumber%3D5497124&authDecision=-203
使用語言 英文
所屬計畫案 利用電晶體及環形振盪器製作壓阻感測器
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