A New Interface-Trapped-Charge-Degraded Subthreshold Current Model for Quadruple-Gate (QG) MOSFETs
- 年度：2014
- 論文類型：口頭報告 / 會議論文
- 論文等級：其他
- 論文名稱(篇名)：A New Interface-Trapped-Charge-Degraded Subthreshold Current Model for Quadruple-Gate (QG) MOSFETs
- 會議名稱：EDSSC2014
- 會議開始時間：2014-06-18
- 會議結束時間：2014-06-20
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：Chiang Te-Kuang
- 著作人數：1
- 作者型態：First Author / Corresponding Author
- 會議地點：大陸成都
- 使用語言：
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