A new two dimensional analytical model for fully depleted dual material gate SOI MOSFET
- 年度：2007
- 論文類型：會議論文
- 論文等級：其他
- 論文名稱(篇名)：A new two dimensional analytical model for fully depleted dual material gate SOI MOSFET
- 會議名稱：2007 International Symposium on Nano Science and Technology
- 會議開始時間：2007-00-00
- 會議結束時間：2007-00-00
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：T. K. Chiang , Y. K. Shiau and M. L
- 著作人數：3
- 作者型態：First Author
- 會議地點：Tainan, Taiwan.
- 使用語言：英文
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