A simulation-based drain leakage current in double-gate n-MOSFETs
- 年度：2005
- 論文類型：會議論文
- 論文等級：其他
- 論文名稱(篇名)：A simulation-based drain leakage current in double-gate n-MOSFETs
- 會議名稱：2005 Conference on Microoelectronics Technology & Applications
- 會議開始時間：2005-00-00
- 會議結束時間：2005-00-00
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：T.K. Chiang and T.Y
- 著作人數：2
- 作者型態：First Author
- 會議地點：Kaoshiung,Taiwan
- 使用語言：英文
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