"A New Two-dimensional Model for Asymmetrical Dual Gate Material Double-Gate (ADMDG) MOSFET’s" , Microelectronics Reliability , vol.49 , no.7 , pp693-698 ,2009, (SCI)
出版日期：2009-07-00
期刊等級：SCI
論文名稱(篇名)： A New Two-dimensional Model for Asymmetrical Dual Gate Material Double-Gate (ADMDG) MOSFET’s
期刊名：Microelectronics Reliability
卷數：vol.49
期數：no.7
起頁：693
迄頁：698
總頁數：6
作者中文名：江德光
作者英文名：Te-Kung Chiang
全部作者：T.K. Chiang
著作人數：1
作者型態：First Author
使用語言：英文
