A Quasi-3D Subthreshold Behavior Model for Multiple-Gate MOSFETs
- 年度：2018
- 論文類型：口頭報告 / 海報展示
- 論文等級：EI
- 論文名稱(篇名)：A Quasi-3D Subthreshold Behavior Model for Multiple-Gate MOSFETs
- 會議名稱：ICSEVEN 2018(The International Conference on Science, Engineering, Vocational Education, and Novelty)
- 會議開始時間：2018-04-11
- 會議結束時間：2018-04-15
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：Te-Kuang Chiang
- 著作人數：1
- 作者型態：First Author / Corresponding Author
- 會議地點：Kyoto, Japan
- 使用語言：
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