A New Short-Channel-Effect-Degraded Subthreshold Behavior Model for Elliptical Gate-All-Around MOSFET
- 年度：2017
- 論文類型：口頭報告 / 受邀演講 / 海報展示
- 論文等級：EI
- 論文名稱(篇名)：A New Short-Channel-Effect-Degraded Subthreshold Behavior Model for Elliptical Gate-All-Around MOSFET
- 會議名稱：IEEE - 2017 IEEE 12th International Conference on ASIC (ASICON)
- 會議開始時間：2017-10-25
- 會議結束時間：2017-10-28
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：Te-Kuang Chiang, Ying-Wen Ko(柯盈彣), Hong-Wun Gao, Yeong-Her Wang
- 著作人數：4
- 作者型態：First Author / Corresponding Author
- 會議地點：Guiyang, China
- 使用語言：英文
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