A Novel Noise Margin Model of Surrounding-gate MOSFET Working on Subthreshold CMOS Logic Gates
- 年度：2016
- 論文類型：口頭報告
- 論文等級：其他
- 論文名稱(篇名)：A Novel Noise Margin Model of Surrounding-gate MOSFET Working on Subthreshold CMOS Logic Gates
- 會議名稱：The 2016 IEEE International Nanoelectronics Conference
- 會議開始時間：2016-05-09
- 會議結束時間：2016-05-11
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：Te-Kuang Chiang, Chen, Chih Yo(陳芷右),Hong-Wun Gao, Yeong-Her Wang
- 著作人數：4
- 作者型態：Corresponding Author
- 會議地點：Chengdu, China.
- 使用語言：英文
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