Chiang Te-Kuang*(江德光), ”Nanosheet FET: A New Subthreshold Current Model Caused by Interface-Trapped-Charge and Its Application for Evaluation of Subthreshold Logic Gate” Microelectronics Journal, Vol.104, No.106, pp.104983-104992, 2020.

出版日期：2019-08-01

期刊等級：SCI

論文名稱(篇名)：Nanosheet FET: A New Subthreshold Current Model Caused by Interface-Trapped-Charge and Its Application for Evaluation of Subthreshold Logic Gate

期刊名： Microelectronics Journal

卷數：104

期數：106

起頁：104983

迄頁：104992

作者中文名：江德光

作者英文名：Te-Kung Chiang

全部作者：Te-Kuang Chiang

著作人數：1

作者型態：Corresponding Author

使用語言：英文

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