年度：2011
論文類型：海報展示
論文等級：EI
論文名稱(篇名)：Reliability Improvement of 28nm Gate Last High-k/Metal Gate Device with Oxygen Annealing
會議名稱：International Electron Devices and Materials Symposia (IEDMS)
會議開始時間：2011-11-00
會議結束時間：2011-11-00
作者中文名：葉文冠
作者英文名：Wen-Kuan Yeh
全部作者：Yi-Lin Yang, Yi-Ping Huang, Pin-Tseng Chen, Wenqi Zhang, Chi-Yun Cheng(鄭濟允), Li-Kong Chin(秦禮功), Chia-Wei Hsu and Wen-Kuan Yeh)
著作人數：8
作者型態：Other
會議地點：Taipei, Taiwan
使用語言：英文
