Lan, W.H. ,"Improved External Quantum Efficiency of GaN p-i-n Photodiodes With a TiO2 Roughened Surface " , J.C. Lin, Y.K. Su, S.J. Chang, W.H. Lan, K.C. Huang, Y.C. Cheng, W.J. Lin , 20 , 4 , pp285-287 ,2008, (SCI)
出版日期 2008-02-00
期刊等級 SCI
論文名稱(篇名) Improved External Quantum Efficiency of GaN p-i-n Photodiodes With a TiO2 Roughened Surface
期刊名 J.C. Lin, Y.K. Su, S.J. Chang, W.H. Lan, K.C. Huang, Y.C. Cheng, W.J. Lin
卷數 20
期數 4
起頁 285
迄頁 287
作者中文名 藍文厚
作者英文名 Wen-How Lan
全部作者 Su, Y.K. ; Chang, S.J. ; Lan, W.H. ; Huang, K.C. ; Cheng, Y.C. ; Lin, W.J.
著作人數 6
期刊等級 SCI
論文名稱(篇名) Improved External Quantum Efficiency of GaN p-i-n Photodiodes With a TiO2 Roughened Surface
期刊名 J.C. Lin, Y.K. Su, S.J. Chang, W.H. Lan, K.C. Huang, Y.C. Cheng, W.J. Lin
卷數 20
期數 4
起頁 285
迄頁 287
作者中文名 藍文厚
作者英文名 Wen-How Lan
全部作者 Su, Y.K. ; Chang, S.J. ; Lan, W.H. ; Huang, K.C. ; Cheng, Y.C. ; Lin, W.J.
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