Wen-How Lan, Kuo-Chin Huang and Kai Feng Huang,"ICP-induced defects in GaN characterized by capacitance analysis" , Solid-State Electronics , vol.50 , Issues 11-12 , pp1677-1681 ,2006, (其他)
出版日期 2006-11-00
期刊等級 其他
論文名稱(篇名) ICP-induced defects in GaN characterized by capacitance analysis
期刊名 Solid-State Electronics
卷數 vol.50
期數 Issues 11-12
起頁 1677
迄頁 1681
作者中文名 藍文厚
作者英文名 Wen-How Lan
全部作者 Wen-How Lan, Kuo-Chin Huang and Kai Feng Huang
著作人數 3
作者型態 First Author
使用語言 英文
期刊等級 其他
論文名稱(篇名) ICP-induced defects in GaN characterized by capacitance analysis
期刊名 Solid-State Electronics
卷數 vol.50
期數 Issues 11-12
起頁 1677
迄頁 1681
作者中文名 藍文厚
作者英文名 Wen-How Lan
全部作者 Wen-How Lan, Kuo-Chin Huang and Kai Feng Huang
著作人數 3
作者型態 First Author
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