Electrical Characteristics of Multi-gate P-channel FinFETs with VT Implanting Energies under Temperature Stress
年度 2015
論文類型 海報展示
論文等級 EI
論文名稱(篇名) Electrical Characteristics of Multi-gate P-channel FinFETs with VT Implanting Energies under Temperature Stress
會議名稱 The 4th International Symposium on Next-Generation Electronics
會議開始時間 2015-05-04
會議結束時間 2015-05-06
作者中文名 藍文厚
作者英文名 Wen-How Lan
全部作者 Mu-Chun Wang,Yi-De Lai,Shao-Syuan Syu,Wen-Shiang Liao,Wen-How Lan,Shea-Jue Wang
著作人數 6
作者型態 Corresponding Author
會議地點 台灣
論文類型 海報展示
論文等級 EI
論文名稱(篇名) Electrical Characteristics of Multi-gate P-channel FinFETs with VT Implanting Energies under Temperature Stress
會議名稱 The 4th International Symposium on Next-Generation Electronics
會議開始時間 2015-05-04
會議結束時間 2015-05-06
作者中文名 藍文厚
作者英文名 Wen-How Lan
全部作者 Mu-Chun Wang,Yi-De Lai,Shao-Syuan Syu,Wen-Shiang Liao,Wen-How Lan,Shea-Jue Wang
著作人數 6
作者型態 Corresponding Author
會議地點 台灣
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