跳到主要內容區

 

"In(Ga, Al)As quantum dot/wire growth on InP" , J. Vac. Sci. Technol. B , vol.26 , pp1084-1088 ,2008, (SCI)

  • 出版日期:2008-05-00
  • 期刊等級:SCI
  • 論文名稱(篇名):In(Ga, Al)As quantum dot/wire growth on InP
  • 期刊名:J. Vac. Sci. Technol. B
  • 卷數:vol.26
  • 起頁:1084
  • 迄頁:1088
  • 作者中文名:馮瑞陽
  • 作者英文名:(David) Jui-Yang, Feng
  • 全部作者:T. E. Tzeng, David J. Y. Feng, C. Y. Chen, and T. S. Lay
  • 著作人數:4
  • 作者型態: Corresponding Author
  • 使用語言:英文
  • 瀏覽數:
    登入成功